规范征求定见！2项AlN抛光片测验办法+ UIS应力下GaN HEMT在线测验办法征求定见！

  重要告诉：2月26-28日，2025功率半导体制作及供应链高峰论坛将在重庆举行。立刻报名参会，还能观赏调查龙头大厂对接协作！

  近来，第三代半导体工业技能创新战略联盟相继完结3项集体规范征求定见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求定见，为期一个月。

  》》UIS应力下GaN HEMT在线日，由电子科技大学牵头起草的规范T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测验办法》已完结征求定见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求定见，为期一个月。征求定见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需求，可发邮件至T/CASAS 052—202X《非钳位理性负载开关应力下GaN HEMT在线测验办法》描绘了履行非钳位理性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测验办法，包含测验原理、测验条件、测验程序、数据处理和试验报告。

  本文件适用于适用于封装级GaN HEMT器材的出产研制、特性表征、量产测验、可靠性评价及运用评价等作业场景。

  电子科技大学功率集成技能实验室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为四川省功率半导体技能工程研讨中心，是电子薄膜与集成器材全国重点实验室和电子科技大学集成电路研讨中心的重要组成部分。现有18名教授/研讨员、9名副教授/副研讨员，285名在读全日制硕士研讨生和69名博士研讨生，被世界同行称为“全球功率半导体技能范畴最大的学术研讨团队”和 “功率半导体范畴研讨最为全面的学术团队”。在团队负责人张波教授的带领下，该实验室两次牵头获得国家科学技能进步奖二等奖和四川省科学技能进步奖一等奖，共获省部级以上科研奖赏15项。近年来，实验室共宣布SCI录入论文500余篇，获授权发明专利1462项。一起，其产学研协作成效显著，部分产品打破国外独占、完结批量出产，为企业新增直接经济效益超越百亿元，推动了我国功率半导体职业的开展。

  2025年1月23日，由奥趋光电技能（杭州）有限公司牵头起草的规范T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测的新办法 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体研讨所牵头起草的规范T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测验办法》已完结征求定见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求定见，为期一个月。征求定见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位。非联盟成员单位如有需求，可发邮件至a.cn。

  T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测的新办法 腐蚀坑密度测量法》描绘了用择优化腐蚀技能测验氮化铝抛光片中位错密度的办法，包含办法原理、仪器设备、测验条件、样品、测验过程、成果核算和测验报告。本文件适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测验，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测验。氮化铝外延片可参照运用。

  T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测验办法》描绘了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测验办法，包含原理、仪器设备、测验条件、样品、测验过程、成果核算和测验报告。本文件适用于氮化铝抛光片的光学质量操控和评价。氮化铝外延片可参照运用。

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